● 国际动态
1.WSTS:2024年全球半导体市场规模增长19%至6270亿美元
世界半导体贸易统计组织(WSTS)发布了其最新的全球半导体市场预测,强调了2024年和2025年的强劲增长预期。在其更新的秋季预测中,WSTS上调了2024年的预测,预计半导体市场将同比增长19.0%至6270亿美元。展望未来,WSTS预测2025年半导体市场将实现广泛增长,增长11.2%至6970亿美元。增长将主要由逻辑电路和内存领域驱动,这两个领域合计预计将超过4000亿美元的价值。这包括逻辑电路超过17%的同比增长和内存13%的增长。其他半导体类别预计将以更温和的个位数增长率增长,标志着行业的稳步整体扩张。
2.SEMI:大陆Q3芯片设备销售额达129.3亿美元
国际半导体产业协会(SEMI)报告显示,2024年第三季度全球芯片设备销售额较去年同期大增19%至303.8亿美元,连续两个季度呈现增长,并创11个季度以来最大增幅。就区别销售情况来看,第三季度中国大陆市场销售额达129.3亿美元,较去年同期大增17%,连续6个季度成为全球最大芯片设备市场,占整体销售额比重达42.5%;中国台湾市场销售额大增25%至46.9亿美元,5个季度以来首度超过韩国成为全球第二大芯片设备市场。另外,北美市场销售额暴增77%至44.3亿美元,日本市场销售额减少3%至17.4亿美元,欧洲市场销售额暴减38%至10.5亿美元,其他区域销售额增加14%至10.1亿美元。
3.CounterpointResearch:全球半导体行业Q3收入达1582亿美元同比增长17%
据市调机构CounterpointResearch数据显示,2024年第三季度,全球半导体行业收入同比增长17%,达到1582亿美元,主要得益于对人工智能(A1)技术的需求和存储行业的复苏。CounterpointResearch指出,英伟达和AMD成为人工智能领域的主要赢家,其与人工智能相关的业务部门取得显著增长。预计这一趋势将随着2024年第四季度新产品的推出而持续下去。在存储领域,三星、SK海力士和美光等公司的销售额同比增长两位数,这得益于减产和对生成式存储解决方案的需求不断增长。
4.英飞凌:将在中国本地化生产芯片
德国半导体制造商英飞凌CE0JochenHanebeck表示,英飞凌正在中国本地化生产商品级产品,因为公司希望与中国市场的客户保持密切联系。JochenHanebeck称,“中国客户要求对一些很难更换的部件进行本地化生产,这就是为什么我们将部分产品转移到中国代工厂我们在中国有自己的后端,这样我们就可以解决中国客户在供应安全方面的担忧。”
5.0mdia:预计2029年生成式AI市场规模达728亿美元
12月11日消息,根据0mdia今天发布的最新预测,全球生成式AI市场仍处于起步阶段该市场将在五年内增长五倍,从2024年的146亿美元增长到2029年的728亿美元。顶尖的应用领域包括消费类、企业服务、零售业、媒体娱乐业以及医疗保健业。
6.SiliconBox:13亿欧元补贴助力建设先进半导体封装厂
根据欧盟国家援助规则,欧盟委员会批准了一项13亿欧元的意大利补贴,以支持新加坡初创公司SiliconBox在诺瓦拉建造一个半导体先进封装和测试设施。意大利通知欧盟委员会,其计划支持SiliconBox在意大利诺瓦拉建立新的半导体先进封装和测试设施的项目。先进封装允许将多个通常具有不同功能的芯片集成到一个封装中,从而创建一个多芯片模块或“chiplet(小芯片)”。这种方法能够使chiplet提供更好的性能和功率效率。
7.台积电2纳米制程技术细节出炉:性能跃升15%、功耗降低30%,晶圆价格上涨
在于旧金山举行的国际电子器件会议(IEDM)上,全球晶圆代工巨头台积电公布了其备受瞩目的2纳米(N2)制程技术的更多细节,展示了该技术在性能、功耗和晶体管密度方面的显著进步。台积电在会上重点介绍了其2纳米“纳米片(nanosheets)”技术。据介绍,相较于前代制程,N2制程在性能上提升了15%,功耗降低了高达30%,能效显著提升。此外,得益于环绕式栅极(GAA)纳米片晶体管和N2NanoFlex技术的应用,晶体管密度也提高了1.15倍。N2NanoFlex技术允许制造商在最小的面积内集成不同的逻辑单元,进一步优化了制程的性能。
8.TechInsights:2025年HBM出货量将同比增长70%
12月25日,市调机构Techlnsights在报告中指出,存储器市场,包括DRAM和NAND,预计在2025年将实现显著增长,这主要得益于人工智能(AI)及相关技术的加速采用。Techlnsights称,随着AI的兴起,特别是在机器学习和深度学习等数据密集型应用中,对高带宽内存(HBM)的需求空前高涨。预计2025年HBM出货量将同比。增长70%,因为数据中心和A|处理器越来越多地依赖这种类型的存储器来处理低延迟的大量数据。HBM需求的激增预计将重塑DRAM市场,制造商将优先生产HBM,而不是传统的DRAM产品。另外,Techlnsights预测,受AI应用激增的推动,2025年内存市场的资本支出(capex)越来越多地流向DRAM特别是HBM。随着制造商扩大产能以满足日益增长的需求,DRAM资本支出预计将同比增长近20%。
● 国内动态
1.湖北:印发《加快生产性服务业高质量发展实施方案(2024—2027年)》
12月3日,武汉市人民政府印发《加快生产性服务业高质量发展实施方案(2024—2027年)》(以下简称“实施方案”》),芯片半导体集成电路产业受到重点关注。《实施方案》提出,到2027年,生产性服务业占服务业增加值比重达到60%以上,规模以上生产性服务业企业营业收入突破8000亿元,形成以“中国软件名城”“世界设计之都”“区域金融中心”“国家级会展中心”“国家物流枢纽”等为标志的具有全国影响力的生产性服务业产业集群。
2.上海:用好100亿元集成电路设计产业并购基金
12月10日,上海市人民政府办公厅关于印发《上海市支持上市公司并购重组行动方案(2025—2027年)》的通知。力争到2027年,落地一批重点行业代表性并购案例,在集成电路、生物医药、新材料等重点产业领域培育10家左右具有国际竞争力的上市公司,形成3000亿元并购交易规模,激活总资产超2万亿元,集聚3~5家有较强行业影响力的专业并购基金管理人,中介机构并购服务能力大幅提高,并购服务平台发挥积极作用。
3.陕西:实施强芯工程,全力推动半导体和集成电路产业发展
12月12日,陕西省工信厅为推动全省半导体和集成电路产业发展,发布了相关报道,将实施强芯工程,着力打造国内具有影响力的集成电路设计强省以及国家重要的半导体和集成电路生产基地。实施强芯工程,陕西省工信厅将从五方面入手:大力提升设计业水平,培养一批行业龙头设计公司;实施芯片制造环节补充,建设8英寸特色工艺产线,谋划龙腾半导体特色工艺产线,弥补晶圆制造短板;大力提升封装测试水平,发展后摩尔时代高密度封装、三位一体封装技术;围绕材料和设备,利用资源优势,大力发展12英寸单晶炉、12英寸硅片全工艺产线;强化产业链条生态打造,包括政产学各种资源,围绕产业短板弱项进行技术攻关。
4.广东:出台18条措施支持AI产业发展,每年最高3亿元开展AI芯片攻关
4.广东:出台18条措施支持AI产业发展,每年最高3亿元开展AI芯片攻关
5.工信部:前10个月我国集成电路产量同比增长24.8%
近日,工信部运行监测协调局公布了2024年1-10月份我国电子信息制造业运行情况。数据显示,2024年前10个月,我国规模以上电子信息制造业增加值同比增长12.6%,增速分别比同期工业、高技术制造业高6.8个和3.5个百分点。10月份,规模以上电子信息制造业增加值同比增长10.5%。从效益来看,1-10月,规模以上电子信息制造业实现营业收入12.96万亿元,同比增长7.2%,较1-9月回落0.3个百分点;营业成本11.33万亿元,同比增长7.2%;实现利润总额5149亿元,同比增长8.4%;营业收入利润率为4.0%,较1-9月提高0.1个百分点。10月份,规模以上电子信息制造业营业收入1.48万亿元,同比增长4.9%。在投资方面,1-10月,电子信息制造业固定资产投资同比增长13.2%,较1-9月提高0.1个百分点,比同期工业、高技术制造业投资增速分别高0.9个和4.4个百分点。 从区域来看,1-10月,规模以上电子信息制造业京津冀地区实现营业收入6921亿元、同比增长16.6%,较1-9月提高2.1个百分点,营收占全国比重5.3%;长三角地区实现营业收入36751亿元、同比增长7.5%,较1-9月回落0.5个百分点,营收占全国比重28.4%。
6.中科院金刚石基氧化镓异质集成材料与器件研究获突破性进展
据中国科学院上海微系统所官微消息,上海微系统所异质集成XOI团队和南京电子器件研究所超宽禁带半导体研究团队合作,在金刚石基氧化镓异质集成材料与器件领域取得突破性进展。据悉,上海微系统所研究团队创新发展XOI晶圆转印技术,在国际上率先实现阵列化氧化镓单晶薄膜与1英寸金刚石衬底的异质集成。转移处理后氧化镓单晶薄膜材料摇摆曲线半高宽为78arcsec,表面粗糙度为0.35nm;金刚石/氧化镓异质界面过渡层厚度小于2nm,界面热阻为21.7m2•K/GW,为目前已报道最优值。基于此制备的射频器件性能和散热能力得到显著提升,器件开态饱和电流高达810mA/mm,最大振荡频率去嵌前达到61GHz,为目前报道最高值;相同功率下,器件结区最高温度相比氧化镓同质器件降低250℃,散热能力提升11倍,器件热阻仅为5.52W•mm/K,极大提升氧化镓射频器件性能和散热能力。该方法不仅成本低、不受晶圆表面质量限制,还兼容其他不同尺寸、不同种类的XOI异质集成薄膜到任意衬底上甚至任意位向的转移。
7.先导激光氮化镓蓝光装备全链条国产化项目顺利立项
据先导科技集团官微消息,日前,由先导科技集团旗下先导光电子事业部牵头的安徽省“科技创新攻坚计划-氮化镓蓝光装备的全链条国产化开发及应用”项目启动会在滁州市安徽省先进光电子材料及系统产业创新研究院召开。据悉,项目瞄准氮化镓蓝光激光产业应用需求,开展全链条高功率氮化镓蓝光加工系统装备的国产化开发及应用研究,实现氮化镓蓝光激光衬底、外延芯片、封装模组、加工装备及制造工艺的核心技术自主可控。项目是推动国产化替代的重要举措,对安徽省乃至全国激光器产业高质量发展具有重要意义。
8.京津冀国家技术创新中心雄安中心正式启动运行
据央视新闻报道,12月12日,京津冀国家技术创新中心雄安中心正式启动运行,包括北大人民医院雄安医工交叉转化研究院合作项目、第四代半导体材料掺杂AlN外延片在内的多个自主创新性项目落地雄安新区。据悉,雄安中心由雄安新区管理委员会、京津冀国家技术创新中心(以下简称“京津冀中心”)、雄安国创中心科技有限公司联合共建。作为国家级创新平台,雄安中心将聚焦搭建一流创新平台、组建复合创新团队、完善创新创业生态等重点任务开展工作,奋力打造自主创新和原始创新重要策源地。