8月16日，上海万业企业股份有限公司（以下简称“万业企业”）与国家第三代半导体技术创新中心（苏州）在苏州纳米城举办的国家第三代半导体技术创新中心（苏州）2024年发展战略研讨会现场举行了《协同创新发展全面战略合作协议》签署仪式。仪式现场，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）副主任徐科和万业企业副总裁江加如先生共同出席签约仪式。双方将瞄准第三代半导体产业应用需求，围绕先进半导体设备和工艺关键技术，共同培育和承担各类重大项目，开启推动第三代半导体产业自主可控发展“芯”征程之钥。
据悉，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）由江苏第三代半导体研究院有限公司作为主体承建单位，以培育发展第三代半导体技术应用产业为目标，围绕国家重大发展战略性产业发展需求，聚焦“1”到“100”的产业共性关键技术，建设开放共享的公共研发大平台，以市场化机制协同优势创新资源联合攻关，已在众多关键环节取得重要突破，成为推动行业技术进步的一股重要国家力量。
万业企业作为国内“1+N”半导体设备平台公司，业务覆盖集成电路离子注入机、刻蚀、薄膜沉积、快速热处理等多类主制程设备以及尾气处理等支撑制程设备，公司长期支持国产设备的成长与研发，致力于推动中国集成电路产业的蝶变跃升。
此次携手合作，植根双方对产业科技趋势的深刻洞察与紧密契合的共同愿景的高度共识。根据战略合作协议，双方瞄准第三代半导体产业应用需求，携手共建国家第三代半导体创新中心先进化合物半导体器件制造中心与第三代半导体工艺技术开发平台，围绕先进半导体设备和工艺关键技术，设置研发课题，联合攻坚关键工艺节点核心工艺技术问题，合力开展关键工艺技术开发，驱动“产研合璧”，推动第三代半导体芯片制程量产关键设备国产化、标准化，为实现技术自主可控奠定坚实基础。
随着协议的正式签署，万业企业与国家第三代半导体技术创新中心（苏州）将携手步入协同创新的新纪元，共绘产业开放合作与技术革新的宏伟蓝图。展望未来，双方将依托彼此的资源优势，叠加核心竞争力，深化联合创新力，以推进我国第三代半导体产业自主可控发展为重点开展全面战略合作，不断孕育第三代半导体产业新增长极，共同驶向产业“芯”航道。
万业企业作为国内“1+N”半导体设备平台公司，业务覆盖集成电路离子注入机、刻蚀、薄膜沉积、快速热处理等多类主制程设备以及尾气处理等支撑制程设备，公司长期支持国产设备的成长与研发，致力于推动中国集成电路产业的蝶变跃升。
此次携手合作，植根双方对产业科技趋势的深刻洞察与紧密契合的共同愿景的高度共识。根据战略合作协议，双方瞄准第三代半导体产业应用需求，携手共建国家第三代半导体创新中心先进化合物半导体器件制造中心与第三代半导体工艺技术开发平台，围绕先进半导体设备和工艺关键技术，设置研发课题，联合攻坚关键工艺节点核心工艺技术问题，合力开展关键工艺技术开发，驱动“产研合璧”，推动第三代半导体芯片制程量产关键设备国产化、标准化，为实现技术自主可控奠定坚实基础。
随着协议的正式签署，万业企业与国家第三代半导体技术创新中心（苏州）将携手步入协同创新的新纪元，共绘产业开放合作与技术革新的宏伟蓝图。展望未来，双方将依托彼此的资源优势，叠加核心竞争力，深化联合创新力，以推进我国第三代半导体产业自主可控发展为重点开展全面战略合作，不断孕育第三代半导体产业新增长极，共同驶向产业“芯”航道。